< BK21 플러스 BEST 정보기술 사업단 세미나 개최 안내 >

개최일시 : 2019년 2월 25일 (월) 16:00 ~ 17:00

개최장소 : 제4공학관 D402호

세미나 제목 : 디램 캐패시터 유전 박막 공정 및 물질의 발전과 개발

내용 :

DRAM (dynamic random access memory)은 휘발성 메모리의 한 종류로써 구조가 간단해 집적이 용이하므로 대용량 기억장치로 사용된다. 디램은 캐패시터에 전하의 저장여부로 0과 1을 나타내는 한 개의 정보단위 (bit)를 나타내게 된다. 디램의 핵심부분인 Cell 부분의 구조는 기본적으로 한 개의 트랜지스터와 한개의 캐패시터로 구성이 되며 그 중 캐패시터 부분의 공정은 높은 aspect ratio, 캐패시터 구조의 기계적 성질 등등, 향후 보다 깊은 scaling을 위해 매우 많은 도전적인 이슈를 가지고 있다. 특히 유전박막의 경우, scaling에 따라서 높은 conformality와 함께 유전상수를 높이고 누설전류를 줄여야하는 도전에 직면하게 되었다. 본 세미나에서는 이들 디램 Cell 캐패시터 유전박막의 이슈에 대한 설명과 함께 이를 해결하기 위해 연구되어 온 물질과 증착공정의 개발에 대해 소개한다.

강연자 성함&직함 / 소속 : 맹완주 Engineer / Micron

초청자 : 전기전자공학과 교수 김형준