- 제목
- 계면층을 이용한 박막 성장법
- 출원인
- 학교법인연세대학교
- 공고일
- 2002.03.22
- 출원일
- 1999.07.09
- 공개일
- 2001.02.05
- 게시글 내용
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본 발명은 기판과 성장시키고자하는 박막 사이의 계면층을 개입하여 이용하여 산화 박막 혹은 금속 박막을 결정성장 시키는 방법에 관련된 것이다. 본 발명에서는 실리콘 기판 위에 3~8 층 정도의 산화 실리콘으로 이루어진 계면층을 이용하여 박막을 형성함으로써, 실리콘 기판의 결정성을 그대로 따르면서, 실리사이드의 생성을 억제하여 양질의 박막을 성장하는 방법을 제공하고 있다.
- 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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