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제목
반도체 광증폭기 크로스-게인 모듈레이션을 이용한 전광신호 업-컨버젼 방법 및 그 장치
출원인
학교법인연세대학교
출원일
2002.03.25
공개일
2003.10.01
게시글 내용
본 발명은 반도체 광증폭기의 크로스-게인 모듈레이션을 이용한 전광 신호 업-컨버젼 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 반도체 광증폭기 주파수 변조 대역폭 내의 사용 주파수를 갖는 IF 데이터 신호를 발생시켜 상기 반도체 광증폭기 내로 입사시키는 제1단계; 상기 반도체 광증폭기 주파수 변조 대역폭보다 큰 주파수를 갖는 LO 신호를 발생시켜 상기 반도체 광증폭기 내로 입사시키는 제2단계; 상기 반도체 광증기 내로 함께 입사된 IF 데이터 신호와 LO 신호를 크로스-게인 모듈레이션시키는 제3단계를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 기존 광변조기의 입사 빛 파장 및 편광 의존성 문제를 갖고 있지 않으며, SOA의 광 이득에 의해 제반 광학적 손실의 보상이 가능하고, 신호 변환 효율의 향상이 가능한 반도체 광증폭기 크로스-게인 모듈레이션을 이용한 전광 신호 업-컨버젼 방법 및 그 장치를 제공할 수 있다.반도체 광증폭기, 업-컨버젼, 크로스-게인 모듈레이션, 전광 신호, WDM, MZM

반도체 광증폭기 크로스-게인 모듈레이션을 이용한 전광신호 업-컨버젼 방법 및 그 장치 대표 이미지

첨부
공개전문PDF
  • 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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