본 발명의 플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법은, 기판거치용장치와 타게트(target)에 바이어스(bias)를 인가한 상태에서 타게트를 세슘입자로 도포함으로써 증착활성입자에 대한 이온화의 활성화와 플럭스 증가를 통해 기판(Substrate) 상부를 증착시키는 박막증착방법(공정)에 관한 것이다.본 발명은 기판거치장치와 타게트(target)를 포함하고 자체 이면에 레저버가 설치되어 있는 증착 챔버(chamber)에서의 증착공정에 있어서, 기판거치장치 및 타게트에 소정 바이어스를 인가한 상태에서 레저버의 온도를 일정하게 조절하며, 기판과 타게트 중간에 세슘과 활성보조물질을 일정량 공급하여 분사시키므로써 타게트의 외부를 도포시키고 활성보조물질의 이온화 증대를 유도하여, 플럭스(flux) 증대에 따른 플라즈마의 밀도를 높여 증착시키는 것을 핵심으로 한다.따라서 본 발명은 세슘(Cs)의 특성을 반도체의 증착과정에 적용함으로써 반도체 증착공정에서의 플라즈마 밀도 및 플럭스를 증대시켜, 이동도(mobility) 특성이 좋은 반도체소자 및 기타 박막 증착과 관련된 기반기술로 이용할 수 있는 효과가 있다.반도체, 챔버(chamber), 증착(deposition), 세슘(Cs)