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산학협력단

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제목
고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기이엘소자
출원인
연세대학교 산학협력단
출원일
2003.12.11
공개일
2005.06.16
게시글 내용
 본 발명의 고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기EL소자는, 충진밀도(packing)가 높은 물질을 유기 EL소자의 상부 최외각층에 보호막(또는 보호층, Passsivation Layer)을 증착시킨 유기EL소자(OELD)에 관한 것이다. 본 발명은, 글래스기판(Glass Substrate) 상부로부터 순서적으로 형성되어 포함된 양전극층(Anode), 발광층(Emission Layer;EML), 음전극층(Cathode)을 각각 주 동작층으로 하며, 이러한 주 동작층 사이에 필요에 따라 전자 및 정공의 작동을 활성화시키는 층들을 부가하고 있는 유기EL소자에 있어서, 기본 물질의 결합구조(network) 상에서 존재하는 결공(void)이나 틈새(interstice) 등 물질사이에 존재하는 공극을 대체하도록, 단결합강도(single bond strength)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(electro-negativity)와 이온전장강도(ion field strength)는 각각 높아 공유결합특성(covalent bonding characteristic)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SiO2)에 [ 2∼40 %: 98∼60 %]의 비율로, 상기 유기 EL소자의 상부 최외각층에 증착시켜 보호막(Passsivation Layer)을 형성하는 특징을 갖는다. 따라서 본 발명은 충진밀도(packing density)를 높여 결공(void)이나 틈새(interstice)를 메워 외부의 산소나 수분의 침투를 근본적으로 차단시킴으로써 유기EL소자의 동작특성을 획기적으로 개선시키는 효과가 있다. 유기전기발광소자(OELD), 패시배이션(Passsivation), 산소, 수분, 실리콘다이옥사이드, 변형인자(modification factor) 

고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기이엘소자 대표 이미지

첨부
공개전문PDF
  • 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
  • 키워드(검색어)별, 발명자별 특허(기술), 공개특허 한정 검색 가능
  • 연구분야별 비공개 특허(기술)은 지식재산권 담당자 별도 문의
  • 지식재산권 담당자
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    특허 출원인 (권리자) 전담부서 연락처
    연세대학교 산학협력단 본교 산학협력단 지식재산팀 지식재산팀 양지혜 팀장
    (02-2123-5138 / jh.yan@yonsei.ac.kr)
    연세대학교 원주산학협력단 원주산학협력단 기술경영팀 기술경영팀 오정환 팀장
    (033-760-5251 ~ 5252 / WJDGHKSA@yonsei.ac.kr)