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제목
실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법 및 이에의해 제조된 반도체 소자
출원인
연세대학교 산학협력단
출원일
2007.08.18
공개일
2009.02.23
게시글 내용
실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법이 제공된다.본 발명에 따른 실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법은 (a) 기판상에 하나 이상의 실리콘계 나노선을 배열하는 단계; (b) 상기 실리콘계 나노선의 상부에 마스크 패턴을 형성시키는 단계; (c) 상기 마스크 패턴의 상부에 스퍼터링방법 또는 원자층 증착법에 의하여 금속박막을 적층시키는 단계; 및 (d) 상기 금속박막을 열처리하여 금속 규화물층을 형성하고 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하며, 이를 통해 표면처리된 나노선을 이용하여 트랜지스터 기타 디바이스를 제작하는 경우 나노선과 금속 배선과의 접합시 저저항의 컨택트를 이룰 수 있으므로 고집적 저저항의 고속 반도체 장치를 제조할 수 있다.

실리콘계 나노선 표면의 선택적 금속규화물화 방법 및 이에의해 제조된 반도체 소자 대표 이미지

첨부
공개전문PDF
  • 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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    (02-2123-5138 / jh.yan@yonsei.ac.kr)
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    (033-760-5251 ~ 5252 / WJDGHKSA@yonsei.ac.kr)