본 발명은 선택적인 영역에 수열합성을 이종구조의 나노선 및 이종 도핑 구조의 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상에 포토레지스트를 이용한 패터닝을 템플레이트로 삼거나 혹은 기타 나노 크기의 pore로 이루어진 템플레이트을 통해 나노선을 제작하고 템플레이트 존재 하에서 최초 성장된 나노선 위에 이종구조의 나노선을 추가로 성장시켜 이종의 금속산화물 나노선, 혹은 다른 도핑물질이 첨가된 나노선들을 나노선의 성장방향으로 적층시켜 결합된 형태로 제작하여 하나의 나노선으로 만드는 방법이다. 이를 통해 나노소자의 제작에 이종구조 및 이종 도핑 구조의 나노선을 이용할 수 있다. 금속산화물반도체, 나노선, 이종구조, 이종 도핑 구조