본 발명은 α 또는 γ 결정 구조의 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 강유전성 β 결정 구조로 전환하기 위한 방법에 있어서, 습도가 조절되는 분위기 하에서 Au 기판 위에 PVDF 용액을 스핀캐스팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I); 및 상기 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 PVDF의 녹는점 이하의 설정 온도로 급속히 온도를 올려준 후, 일정 시간 온도를 유지시켜주는 RTA(Rapid Thermal Annealing, 급속열처리) 단계(II)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법을 제공한다. 본 발명은 스핀캐스팅을 이용하면서도 강유전성 β 결정 구조의 PVDF 박막을 제조할 수 있으므로, 대면적의 PVDF 박막의 제조가 가능하며, P(VDF-TrFE)박막과는 달리 작동 온도가 높아 고온 작동용 소자에 적용가능하며, P(VDF-TrFE)보다 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다. PVDF, 강유전성, β 결정, RTA, 스핀캐스팅, 스핀코팅, 커패시터, 비휘발성 메모리