본 발명에 따라서 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 (A) 상기 기판의 적어도 일부를 친수성 표면으로 처리하는 단계와, (B) VI족 콜로이드 또는 전구체를 상기 기판의 표면에 적하하여 분산시키는 단계와, (C) 상기 기판을 가열하여 상기 콜로이드 또는 전구체를 상기 기판의 친수성 표면에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 고체 기판의 표면 에너지를 변화시킴으로써 a-Se 콜로이드로부터 t-Se 나노 와이어로의 변형을 조절할 수 있다.
