본 발명의 일 측면에 따른 멀티-레벨-셀 비휘발성 메모리 소자는, 단위 셀당 3개 이상의 소스/드레인 영역이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되며, 상기 소스/드레인 영역에 인가되는 전압에 따라 전하를 트랩핑하는 전하 트랩 영역을 갖는 전하 트래핑 절연부; 및 상기 전하 트래핑 절연부 상에 형성되며, N각형(N은 3이상의 정수)의 평면 형상을 갖는 게이트 전극을 포함하고, 상기 전하 트랩 영역은 전하가 지역화되어(localized) 저장될 수 있는 전하 트랩 사이트를 제공하고, 상기 소스/드레인 영역은 상기 게이트 전극이 형성하는 N각형의 꼭지점부에 배치되어 있다. 비휘발성 메모리, 플래시 메모리, 전하 트랩