본 발명은 액상제조 기반을 이용한 산화물 반도체 박막의 결정화 방법에 관한 것으로, 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 아연화합물, 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물 및 탄탈륨화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 1종의 산화화합물 졸을 증착하는 단계와, 제1 열처리 공정을 통해 상기 산화화합물 졸을 건조 및 가열하여 산화화합물 겔로 형성하는 단계와, 제2 열처리 공정을 통해 상기 산화화합물 겔을 건조 및 가열하여 불투명 비정질 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계와, 제3 열처리 공정을 통해 상기 불투명 비정질 반도체 박막을 건조 및 가열하여 투명 결정질 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함함으로써, 박막 트랜지스터와 태양전지, 이미지 센서 등의 산화막을 이용한 반도체 소자를 간단하고 저렴하게 제작할 수 있는 효과가 있다. 산화화합물, 결정화, 비정질, 투명 결정질, 열처리, 졸겔법, 액상제조 기반