본 발명의 일 측면에 따른 단결정 실리콘 박막의 제조 방법은, 벌크 기판 상에 실리콘 산화막과 단결정 실리콘 박막이 순차 적층된 SOI 기판 상으로 국부적으로 이온주입을 실시하여 상기 SOI 기판의 단결정 실리콘 박막의 일부 영역을 선택적으로 비정질화시키는 단계; 및 상기 비정질화된 일부 영역에 에칭액 또는 에칭액의 증기를 가하여, 상기 선택적으로 비정질화된 단결정 실리콘 박막을 남겨놓은 상태에서 상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함한다. 단결정 실리콘, 비정질화, 플렉시블 기판
