본 발명은 소스 및 드레인 전극으로서 Al, Ti과 같은 오믹 금속을 사용하고 FET의 채널로 ZnO를 사용하면서도 오믹 금속과 ZnO의 화학반응으로 인한 불순물 생성을 방지할 수 있는 구조의 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터의 제조방법은: 나노 로드 형성용 모기판 위에서 랜덤 네트워크 구조를 갖는 복수의 나노 로드를 성장시키는 단계; 소정의 패턴으로 패터닝된 나노 로드 픽업용 플레이트를 형성하는 단계; 상기 나노 로드 픽업용 플레이트를 이용하여 상기 복수의 나노 로드 중 적어도 일부의 나노 로드를 픽업하는 단계; 및 상기 적어도 일부의 나노 로드가 픽업된 픽업용 플레이트를 소스 전극 및 드레인 전극이 패터닝된 기판 위에 프린팅(printing)하여, 상기 적어도 일부의 나노 로드를 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치시키는 단계를 포함한다.