본 발명의 일 실시 예에 따른 니켈 실리사이드 형성 방법은 원자층 증착법을 이용하며, 니켈 소스로서 [Nickel bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)] 또는 [Nickel bis(isopropylacetamidinate)]를 사용하고, 반응 가스로서 NH3 또는 NH3 플라즈마를 사용하고, 상기 니켈 소스 운반 가스로 아르곤을 사용하고, 퍼지 가스로서 아르곤을 사용하며, 300 ~ 350℃의 증착 온도에서 원자층 증착을 진행한다.
