산화물 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 형성한 후 기판의 제1 면 상에 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성할 수 있다. 게이트 절연막 상에 액티브 패턴을 형성한 후 액티브 패턴 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성할 수 있다. 적어도 기판의 제1 면 및 기판의 제1 면에 대향하는 제2 면 중의 하나에 대해 자외선 조사 공정을 수행하면서, 동시에 적어도 기판의 제1 면 및 제2 면 중 하나에 대해 열처리 공정을 수행할 수 있다.
