본 발명에 따른 메모리 장치에 대한 독출 동작 방법은, 상기 메모리 장치에서 선택 셀의 소정의 프로그램 상태를 독출 위하여, 상기 선택 셀의 워드 라인에 제 1 준비 레벨 및 제 1 타겟 레벨을 갖는 독출 전압을 인가하는 단계, 상기 선택 셀과 인접하지 않고, 상기 선택 셀과 동일 스트링에 위치하는 제 1 비선택 셀들의 워드 라인들 중 적어도 하나의 워드 라인에 제 2 준비 레벨 및 제 2 타겟 레벨을 갖는 제 1 독출 패스 전압을 인가하는 단계 및 상기 선택 셀과 인접하게 위치된 적어도 하나의 제 2 비선택 셀의 워드 라인에 제 3 타겟 레벨을 갖는 제 2 독출 패스 전압을 인가하는 단계를 포함한다.