불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법에 대하여 개시된다. 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은, 프로그램 전압 레벨과 선택된 워드라인과 비선택된 워드라인들 사이의 커플링율에 기초하여 결정되는 디스차아지 전압을 이용한다. 불휘발성 메모리 장치는, 복수의 메모리 셀들에 연결된 워드라인들 중 비선택된 워드라인들로 제1 및 제2 패스 전압을 순차적으로 인가하고, 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 프로그램 전압을 인가한 후 프로그램 전압보다 낮은 디스차아지 전압을 인가하고 프로그램 전압을 재인가하는 방법으로 프로그램 동작을 수행한다.
