상기 반도체 소자의 제조 방법은, 식각 대상층 상에 희생막 패턴을 형성하고, 상기 희생막 패턴의 양측벽에 제1 스페이서를 형성하는 단계, 상기 희생막 패턴을 제거하고, 상기 제1 스페이서의 양측벽에 제2 스페이서를 형성하는 단계, 상기 제1 스페이서를 제거하고, 상기 제2 스페이서의 양측벽에 제3 스페이서를 형성하는 단계, 및 상기 제2 스페이서를 제거하고, 상기 제3 스페이서를 식각 마스크로 상기 식각 대상층을 식각하여 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
