본 발명은 3 차원 적층 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 3 차원 적층 소자 제조 방법은 제 1 베이스층, 상기 제 1 베이스층 상의 제 1 희생층, 상기 제 1 희생층 상의 적어도 하나 이상의 제 1 소자가 형성된 제 1 반도체 층 및 상기 제 1 반도체 층을 덮어 상기 제 1 소자를 절연시키는 제 1 페시베이션층을 포함하는 제 1 디바이스 기판을 준비하는 단계; 상기 제 1 디바이스 기판의 상기 페시베이션층과 대향되도록, 접합 표면을 갖는 핸들 기판을 준비하는 단계; 상기 제 1 디바이스 기판과 상기 핸들 기판을 서로 접합시켜 제 1 접합 기판 적층체를 형성하는 단계; 및 상기 제 1 접합 기판 적층체의 상기 제 1 희생층을 선택적으로 제거하여, 상기 제 1 디바이스 기판의 제 1 반도체 층과 상기 제 1 페시베이션층을 상기 핸들 기판 측으로 전달하여 상기 제 1 반도체 층의 저면이 노출되도록 역전되어 상기 핸들 기판 상에 접합된 제 1 모놀리식 소자 기판을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.