본 발명은 멀티스텝 워드라인 기반의 정적 메모리 장치 및 그 제어방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 정적 메모리 장치는 복수의 로우(Row)와 복수의 컬럼(Column)이 교차하는 셀 어레이에 구비된 복수의 메모리 셀과, 복수의 컬럼 중에서 비선택된 컬럼(Unselected column)에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인을 프리차지하는 인터리브 프리차지 회로 및 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 적어도 하나의 워드 라인을 플로팅(Floating) 상태로 제어하여, 플로팅된 워드 라인과 비선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스(Parasitic capacitance) 성분을 통해 플로팅된 워드 라인을 부스팅(Boosting)하는 워드라인 드라이버를 포함할 수 있다.