본 발명은 이중 채널층을 구비한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판과, 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층과, 게이트 절연층 상에 형성되고, 산화물 반도체를 포함하는 제1 반도체층과, 제1 반도체층 상에 형성되고, 유기 반도체 및 유기 절연물 중 적어도 하나와 산화물 반도체를 포함하는 제2 반도체층 및 제2 반도체층 상에 서로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.