본 발명은 STT-MRAM 메모리 기반의 PUF(physically unclonable function) 장치에서 워드 라인 트랜지스터로 인해 발생하는 안정성 감소(stability deterioration)를 개선하는 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 다이오드 연결 트랜지스터(diode-connected transistor) 와 공유된 접근 트랜지스터(shared access transistor)를 이용하여 에러 없이 동일한 응답(response)를 생성하고, 후 처리(post processing)을 통해 불안정(unstable) 셀도 재사용(reuse) 가능하도록 전류 차이를 증가시켜 PUF 장치의 안정성(stability)을 향상시키는 기술에 관한 것이다.