박막 트랜지스터 및 이의 제조방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 활성층, 게이트 절연막, 게이트 전극 및 보호층을 포함하되, 상기 게이트 절연막과 상기 보호층 중에서 적어도 하나는, 모노실란과 디실란의 혼합 가스를 실리콘 소스가스로 사용하여 형성되는 제1 실리콘 함유 절연막을 포함한다. 일례로, 게이트 절연막은 상기 제1 실리콘 함유 절연막과 모노실란을 실리콘 소스가스로 사용하여 형성되는 제2 실리콘 함유 절연막을 포함할 수 있다.
