본 발명은 반도체 기판의 표면 상태를 개선하는 게이트 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조된 게이트 전극에 관한 것으로, (A) 3-5족 반도체 기판을 AMI(아세톤-메탄올-이소프로판올)로 처리하는 단계; (B) AMI로 처리된 3-5족 반도체 기판을 황화합물로 처리하여 황 패시베이션을 수행하는 단계; 및 (C) 황 패시베이션이 수행된 3-5족 반도체 기판 위에 유전상수가 20 내지 30인 화합물을 증착시켜 산화막을 형성하는 단계;를 포함함으로써, 종래의 방법으로 제조된 게이트 전극에 비하여 전기적 측면 및 구조적 측면의 성능을 모두 향상시킬 수 있다.