본 발명은 게르마늄-게르마늄 산화막의 제조방법, 이에 의해 제조된 게르마늄-게르마늄 산화막 및 상기 게르마늄-게르마늄 산화막을 포함하는 MOS 커패시터에 관한 것으로, 본 발명의 게르마늄-게르마늄 산화막의 제조방법에 의해 제조된 게르마늄-게르마늄 산화막은 매우 낮은 계면 결함 상태 밀도값을 가지며, 진동수에 따른 C-V 곡선에서 히스테리시스가 크게 감소하고, 높은 진동수에서도 역전층이 생길 수 있다. 또한, 단순히 산화과정과 기체 처리과정만 거치면 소자로서 사용가능하기 때문에, 기존의 기술에 비하여 제조 공정상 유리하며, 안정성이 높다는 장점을 가진다.