본 발명은 반도체 박막의 제조 방법 및 광 검출기에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 박막의 제조 방법은, 가요성 기판에 응력을 인가하여 상기 기판을 변형시키는 기판 변형 단계; 상기 기판이 변형된 상태에서 상기 기판 상에 반도체 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 및 상기 기판에 인가된 응력을 해제하여 변형된 상기 기판을 복원하는 응력 해제 단계를 포함하고, 상기 기판에 인가된 응력의 크기를 제어함으로써 상기 반도체 박막의 광학적 특성을 조절할 수 있다.
