본 발명은 압전 에너지 하베스팅 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 에너지 하베스팅 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되고, 무기계의 할로겐화물을 포함하는 압전층; 및 상기 압전층 상에 형성된 제 2 전극을 포함할 수 있고, 상기 할로겐화물은 페로브스카이트 구조를 가질 수 있고, 상기 할로겐화물은 화학식 ABX3(A는 알칼리 금속 원소이고, B는 전이후 금속 원소이며, X는 할로겐 원소임)으로 표현되는 화합물일 수 있으며, 상기 할로겐화물은 CsPbBr3, CsPbF3 및 RbPbF3 중 하나 이상을 포함할 수 있다.