본 발명은 고주파 응답 특성이 우수하고, 상대적으로 저온에서 공정이 진행되어 유리 또는 플라스틱과 같은 녹는점이 낮은 재질에서 직접 제조할 수 있는 이차원 반도체 물질을 이용한 수직형 쇼트키 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상기한 수직형 쇼트키 다이오드는 금속으로 형성되는 오믹 접촉층(100), 상기 오믹 접촉층(100)의 일면에 이차원 전이금속 화합물로 형성되는 이차원 반도체층(200), 상기 이차원 반도체층(200)의 일면에 형성되는 쇼트키 접촉층(300) 및 상기 오믹 접촉층(100)의 타면 또는 상기 쇼트키 접촉층(300)의 일면에 형성되는 부도체층(10)을 포함하는 것을 특징으로 한다.