본 발명은 폴리이미드와 그래핀 옥사이드 복합소재를 기반으로 한 고수율 저항 변화 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 상부면에 하부 전극층을 형성하는 하부 전극층 형성단계, 상기 하부전극층 형성단계를 통해 형성된 하부 전극층의 상부면에 저항 변화 물질층을 형성하는 저항 변화 물질층 형성단계, 상기 저항 변화 물질층 형성단계를 통해 형성된 저항 변화 물질층이 형성된 적층체를 어닐링하는 어닐링 단계 및 상기 어닐링 단계를 통해 어닐링 된 저항 변화 물질층의 상부면에 상부 전극층을 형성하는 상부 전극층 형성단계로 이루어지며, 상기 저항 변화 물질층은 2,6-다이아미노안트라센으로 표면 개질된 그래핀 옥사이드와 폴리이미드를 화학적으로 결합한 소재로 이루어진다. 상기의 제조방법은 안트라센이 함유된 폴리아믹산 겔을 용액화하여 저항 변화 물질층으로 적용하고, 상기 저항 변화 물질층을 어닐링하는 과정이 진행되어 우수한 온오프 전류 비율, 내구성 및 수율을 나타내는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 효과를 나타낸다.