차동 전압들을 감지하기 위한 금속 산화물 반도체(MOS) 트랜지스터 오프셋 상쇄(OC), 제로 감지(ZS) 데드 존, 전류-래치형 감지 증폭기들(SAs)(CLSAs)(OCZS-SAs)이 제공된다. OCZS-SA는 더 작은 감지 증폭기 오프셋 전압으로, 수신된 차동 데이터 및 기준 입력 전압들을 증폭하여, 메모리 비트셀(들)의 상이한 저장 상태들 사이에 더 큰 감지 마진을 제공하도록 구성된다. OCZS-SA는 입력 및 상보 입력 트랜지스터들의 오프셋 전압들을 상쇄시키고, 감지 페이즈들 동안 입력 및 상보 입력 트랜지스터들을 그들의 활성화된 상태로 유지하도록 구성되어, 그들의 게이트-소스 전압(Vgs)이 그들 각각의 문턱 전압들보다 낮을 때 그들의 "데드 존들"에서 감지가 수행되지 않도록 한다. 다른 양태들에서, 감지 증폭기 캐패시터들은 전압 포착 페이즈들 동안 입력 및 상보 입력 트랜지스터들의 게이트들에서의 데이터 및 기준 입력 전압들을 직접 저장하도록 구성되어, 그렇지 않았더라면 추가적인 감지 캐패시터 회로들로 소비되었을 추가적인 레이아웃 면적을 회피하게 된다.