본 실시예에 의한 뉴로모픽 소자(neuromorphic device)는: 기판과, 기판 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극과 소스 전극 및 드레인 전극 상부에 위치하는 반도체 층과 반도체 층 상부에 위치하는 강유전체(ferroelectric)층 및 강유전체 상부에 위치하여 압력에 따라 변형되는 게이트 구조물을 포함하며, 뉴로모픽 소자는 제공된 게이트 구조물에 제공된 전기적 신호에 따라 포텐시에이션(potentiation) 및 디프레션(depression) 중 어느 하나 이상이 수행된다.
