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본 발명은 층상구조의 GaN 화합물과 이를 통해 만들어질 수 있는 GaN 나노시트 및 상기 물질들을 포함하는 전기 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에서는 M1-xGayNz(M은 2족 원소 중 1종 이상이고, 0003c#x≤1.0, 0.6≤y≤1.25, 0.75≤z≤1.5)로 표시되는 층상구조 화합물을 제공할 수 있다.
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