본 발명은 메모리 장치의 동작을 제어하는 컨트롤 로직 레이어, 적층되는 다수의 메모리 레이어를 각각 포함하고, 컨트롤 로직 레이어 상에 적층되는 다수의 메모리 레이어 그룹, 다수의 메모리 레이어 그룹 내의 적층된 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제1 TSV 및 컨트롤 로직 레이어로부터 적층된 다수의 메모리 레이어 그룹의 다수의 메모리 레이어를 관통하여 형성되는 다수의 제2 TSV를 포함하여, 스왑 처리 성능을 개선하여, 동작 속도를 향상시킬 수 있는 스택형 하이브리드 메모리 장치 및 이의 데이터 스왑 방법을 제공할 수 있다.
