본 발명은 각각 다수의 리드 라인 중 대응하는 리드 라인과 다수의 소스 라인 중 대응하는 소스 라인 사이에 연결되는 하나의 강유전체 트랜지스터(이하 FeFET)와 다수의 비트 라인 중 대응하는 비트 라인과 FeFET의 게이트 사이에 연결되고 게이트가 다수의 워드 라인 중 대응하는 워드 라인에 연결되는 하나의 트랜지스터를 구비하는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이 및 라이트 명령과 저장될 데이터와 함께 라이트될 메모리 셀에 대한 어드레스 정보가 인가되면, 제1 단계에서 다수의 워드 라인과 다수의 리드 라인 중 어드레스 정보의 로우 어드레스에 대응하는 워드 라인과 리드 라인을 선택하여 기지정된 포지티브 전압 레벨을 갖는 라이트 전압을 인가하고, 제2 단계에서 선택된 리드 라인에 접지 전압을 인가하며, 다수의 비트 라인 중 어드레스 정보의 칼럼 어드레스에 따라 1의 데이터가 라이트되어야 하는 메모리 셀에 대응하는 비트 라인에 라이트 전압을 인가하는 리드 라이트 제어부를 포함하여, 강유전체 메모리 장치 및 이의 리드/라이트 방법은 네거티브 전압을 이용하지 않을 뿐만 아니라 적은 종류의 전압 레벨로도 리드/라이트 동작을 수행할 수 있으며 리드/라이트 시에 소모되는 전력량을 저감시킬 수 있는 강유전체 메모리 장치 및 이의 리드/라이트 방법을 제공할 수 있다.