본 개시에 따른 메모리 장치는 제1 공급 전압에 기초하여 동작하는 회로들에 의해서 액세스되는 메모리 장치로서, 복수의 워드라인들 및 복수의 비트라인들에 연결된 셀 어레이, 로우 어드레스에 기초하여 복수의 워드라인들 중 하나를 선택하도록 구성된 로우 드라이버, 제1 공급 전압에 기초하여 복수의 비트라인들을 프리차지(Precharge)하도록 구성된 프리차지 회로, 컬럼 어드레스에 기초하여 복수의 비트라인들 중 적어도 하나의 비트라인을 선택하도록 구성된 컬럼 드라이버 및 적어도 하나의 비트라인을 통해서 셀 어레이에 저장된 데이터를 독출하도록 구성된 독출 회로를 포함하고, 셀 어레이, 로우 드라이버, 칼럼 드라이버 및 독출 회로는 제1 공급 전압 보다 높은 제2 공급 전압에 기초하여 동작하는 것을 특징으로 한다.
