본 실시예에 의한 다이내믹 램은: 비트 라인과, 인버터와, 도통되어 인버터의 입력 노드와 출력 노드을 전기적으로 연결하는 오프셋 제거 스위치 및 일 전극이 인버터의 입력 노드와 연결된 블로킹 커패시터(blocking capacitor)를 포함하고, 스토리지 커패시터가 비트 라인을 통해 차지 셰어링을 수행할 때, 인버터는 오프셋 제거 스위치가 도통되어 오프셋 제거가 수행되며, 오프셋 제거가 수행되는 인버터의 입력 노드와 차지 셰어링이 수행된 비트 라인은 블로킹 커패시터에 의하여 연결이 블록(block)된다.
