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본 발명은 다공성 산화아연 나노시트를 이용한 반도체용 NO2 가스 센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 다공성 산화아연 나노시트가 NO2 가스에 대하여 탁월한 감응도를 나타내고, 반복측정 안정성, 장기 안정성, 다습환경 안정성, 선택적 가스 감응 안정성 등 반도체식 가스센서의 약점으로 평가되는 안정성 측면에서 높은 센서 특성을 나타냄으로써, 우수한 반도체용 NO2 가스 센서로 유용하게 사용할 수 있는 것에 관한 것이다.
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