본 발명은 멀티레벨 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 양태에 따르면 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 저항 변화층을 포함하며, 상기 저항 변화층은 LaNiO3을 포함하는, 멀티레벨(multi-level) 저항변화 메모리 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 메모리 소자는 전극 면적, 셋 전압(set voltage) 또는 리셋 전압의 크기에 따라 다양한 상태를 구분 가능하여 멀티레벨 소자의 특성을 갖는다. 또한, 본 소자를 사용하면 고집적화가 가능하고 저장 능력이 우수한 메모리 장치가 제공될 수 있다.
