- 제목
- 3D 메모리 및 TSV 예비 자원을 이용한 3D 메모리 라우팅 방법
- 출원인
- 연세대학교 산학협력단
- 출원일
- 2021.12.28
- 공개일
- 2023.07.05
- 게시글 내용
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본 발명의 바람직한 실시예에 따른 3D 메모리 및 TSV 예비 자원을 이용한 3D 메모리 라우팅 방법은, 남은 TSV(through silicon via) 예비 자원을 이용하여 남은 메모리 예비 자원을 다른 메모리 층이 공유하여 이용하도록 하여 복수개의 메모리 층을 포함하는 3D 메모리의 고장을 수리함으로써, 남은 메모리 예비 자원을 활용하여 메모리의 수율을 향상시킬 수 있다.
- 첨부
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- 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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