본 발명의 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 제1 마스크를 사용하여 상기 게이트 전극과 절연되게 마련되는 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 제1 마스크를 사용하여 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체 박막 상에 상기 제1 마스크를 사용하여 전극을 형성하는 단계; 상기 전극의 일 영역에 산화제를 도포하는 단계; 및 산화제가 도포된 상기 전극에 어닐링(annealing)을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.