선택 소자와 그 제조 방법 및 선택 소자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 선택 소자는 제 1 전극, 상기 제 1 전극과 이격된 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치된 스위칭 층을 포함할 수 있고, 상기 스위칭 층은 하프늄 질화물(hafnium nitride)을 주성분으로 포함할 수 있다. 상기 스위칭 층은 하프늄 질화물층일 수 있다. 상기 스위칭 층은 산소(oxygen)를 더 포함할 수 있고, 상기 스위칭 층에서 상기 산소의 함량은 약 15 at% 이하일 수 있다. 상기 스위칭 층은 하프늄 질산화물(hafnium oxynitride)을 더 포함할 수 있다. 상기 스위칭 층은 상기 제 1 전극 상에 배치된 제 1 층부 및 상기 제 1 층부와 상기 제 2 전극 사이에 배치된 제 2 층부를 포함할 수 있고, 상기 제 1 층부와 상기 제 2 층부는 서로 다른 조성/조성비를 가질 수 있다.