본 실시예에 의한 양극성 트랜지스터는 배면 전극, 상기 배면 전극 상에 서로 이격되어 위치하는 제1 강유전체 패턴(ferroelectric pattern) 및 제2 강유전체 패턴, 상기 제1 강유전체 패턴 상부에 위치하는 제1 전극 및 상기 제2 강유전체 패턴 상부에 위치하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 연결되고, 제1 타입으로 도핑된 제1 채널과 제2 타입으로 도핑된 제2 채널을 포함하는 채널부 및 상기 채널부 상부에 위치하는 게이트 스택을 포함한다.
