개시된 발명의 일 측면에 따른 3진법 MOSFET 소자는 2차원 상전이 물질로 구성되는 2차원 상전이 물질 층; 별도의 도핑이 없이 전압 변화에 의해 전도체로 변하는 특성을 가지는 2차원 반도체 물질로 구성되어 상기 2차원 상전이 물질 층에 적층되는 2차원 반도체 물질 층; 상기 2차원 반도체 물질 층의 상단에 적층되고, 입력 전압을 인가받도록 구성되는 게이트단; 상기 2차원 상전이 물질 층의 일측 끝단 및 상기 2차원 반도체 물질 층의 일측 끝단에 연결되는 드레인단; 및 상기 2차원 상전이 물질 층의 타측 끝단 및 상기 2차원 반도체 물질 층의 타측 끝단에 연결되는 소스단을 포함하고, 상기 2차원 상전이 물질 층은, 상기 게이트단에 인가된 전압의 크기에 상관없이 상기 드레인단 및 상기 소스단 사이에서 정전류가 흐르도록 구성될 수 있다.