본 개시는 제1 및 제2 전원 노드 사이에 연결되고, 제1 센싱 노드 및 제2 센싱 노드의 전압 변화를 감지 증폭하는 증폭 회로 및 비트라인쌍의 제1 및 제2 비트라인 중 활성화된 메모리 셀에 연결된 비트라인을 상기 제1 센싱 노드에 연결하고, 상기 증폭 회로가 상기 제1 센싱 노드의 전압 변화를 감지하여 상기 제2 센싱 노드에 반전 증폭한 이후, 나머지 비트라인을 상기 제2 센싱 노드에 연결하는 스위칭 회로를 포함하여, 오프셋을 효과적으로 제거하여 밸런스 센싱을 수행할 수 있어 센싱 수율을 향상시키면서, 전력 소모와 지연을 저감하고, 작은 면적으로 구현될 수 있는 비트라인 센스앰프 및 메모리 장치를 제공한다.
