본 발명은 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법은 결정성 펜타센 박막을 사용하여, 제조공정시간이 지연되고, 정공의 이동도가 낮은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 다결정 또는 단결정 실리콘 기판 상에 실리콘 질화막 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막의 중앙 상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센 박막을 형성하는 단계와; 상기 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 다결정 또는 단결정 실리콘 기판의 저면에 게이트 전극을 형성하는 단계로 이루어져, 펜타센 박막의 제조공정 시간을 단축함과 아울러 이동도 등 그 특성을 향상시키는 효과가 있다.