제목

암전류를 감소시킬 수 있는 광검출 소자의 제조방법

출원인

한국전자통신연구원, 학교법인연세대학교

공고일

2006.02.08

출원일

2003.11.18

공개일

2005.05.23

게시글 내용

 암전류를 감소시킬 수 있는 메사형 광검출 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시킨다음, 상기 P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 p-i-n층을 한정한다. 그후에, 상기 p-i-n층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하고, 상기 폴리이미드막을 경화시킨다. 다음, 상기 화합물 기판 및 p-i-n층 상부 각각에 오믹 전극을 형성한다. 광검출 소자, 암전류, 폴리이미드, 열처리. 

첨부

공개전문PDF 공고전문PDF