메모리 장치는 메모리 셀 어레이 및 주변 회로를 포함한다. 상기 메모리 셀 어레이는 제1 전원 전압을 공급받고, 상기 제1 전원 전압에 기초하여 데이터를 저장하는 복수의 비트 셀들을 포함한다. 상기 주변 회로는 제2 전원 전압을 공급받고, 상기 제2 전원 전압에 기초하여 상기 메모리 셀 어레이를 제어한다. 상기 주변 회로는 상기 복수의 비트 셀들에 연결되는 복수의 워드라인들의 종단들 각각에 연결되는 단위 어시스트 회로들을 구비하는 워드라인 전압 어시스트 회로를 포함하고, 상기 복수의 워드라인들 중 선택된 워드라인에 연결되는 단위 어시스트 회로는 기입 동작 또는 독출 동작에서 복제 신호 및 프리차지 신호에 기초하여 상기 선택된 워드라인의 전압 상승을 감지하고, 상기 선택된 워드라인에 전하를 공급하여 상기 전압 상승을 보조한다.